Datasheet BUK6E2R0-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT226 — Даташит

Купить BUK6E2R0-30C на РадиоЛоцман.Цены — от 22 до 6 558 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3Pin(3+Tab) I2PAK Rail
AllElco Electronics Весь мир	BUK6E2R0-30C127 NXP	22 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	BUK6E2R0-30C127 NXP	59 ₽	Купить
Элитан Россия	BUK6E2R0-30C,127 NXP	193 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	BUK6E2R0-30C,127 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT226

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK6E2R0-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.

02 -- 7 September 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 1.9 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 16 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: I2-PAK
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 120 А
• Power Dissipation Pd: 306 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fairchild - FDMC8200
• Fischer Elektronik - WLK 5

Варианты написания:

BUK6E2R030C, BUK6E2R0 30C