Datasheet BUK6E2R0-30C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT226 — Даташит
Наименование модели: BUK6E2R0-30C
Купить BUK6E2R0-30C на РадиоЛоцман.Цены — от 65 до 7 220 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Trans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3Pin(3+Tab) I2PAK Rail | |||
| BUK6E2R0-30C127 NXP | 65 ₽ | ||
| BUK6E2R0-30C127 NXP | 66 ₽ | ||
| BUK6E2R0-30C127 NXP | по запросу | ||
| BUK6E2R0-30C,127 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 120 А, SOT226
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
BUK6E2R0-30C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.
02 -- 7 September 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 1.9 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 16 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: I2-PAK
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 120 А
- Power Dissipation Pd: 306 Вт
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fairchild - FDMC8200
- Fischer Elektronik - WLK 5
Варианты написания:
BUK6E2R030C, BUK6E2R0 30C
