Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet BUK6E2R3-40C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 120 А, SOT226 — Даташит

NXP BUK6E2R3-40C

Наименование модели: BUK6E2R3-40C

14 предложений от 14 поставщиков
Полевые транзисторы - Одиночные
ChipWorker
Весь мир
BUK6E2R3-40C,127
NXP
72 ₽
BUK6E2R3-40C,127
NXP
212 ₽
Эиком
Россия
BUK6E2R3-40C,127
NXP
231 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
BUK6E2R3-40C,127
NXP
по запросу
Интернет-магазин ДКО Электронщик снова с вами!

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 120 А, SOT226

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK6E2R3-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.

1 -- 18 August 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On State Resistance: 2 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 16 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: I2-PAK
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 120 А
  • Power Dissipation Pd: 306 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • VISHAY SILICONIX - SI7938DP-T1-GE3

Варианты написания:

BUK6E2R340C, BUK6E2R3 40C

На английском языке: Datasheet BUK6E2R3-40C - NXP MOSFET, N CH, 40 V, 120 A, SOT226

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка