Datasheet BUK6E3R2-55C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 120 А, SOT226 — Даташит

Наименование модели: BUK6E3R2-55C
14 предложений от 14 поставщиков MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK. N-Channel 55V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
| BUK6E3R2-55C,127 NXP | 78 ₽ | ||
| BUK6E3R2-55C,127 Rochester Electronics | 78 ₽ | ||
| BUK6E3R2-55C,127 NXP | 226 ₽ | ||
| BUK6E3R2-55C,127 Nexperia | 243 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 120 А, SOT226
Краткое содержание документа:
BUK6E3R2-55C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.
01 -- 6 September 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On State Resistance: 2.7 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 16 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: I2-PAK
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 120 А
- Power Dissipation Pd: 306 Вт
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5
Варианты написания:
BUK6E3R255C, BUK6E3R2 55C






