Datasheet BUK6E3R2-55C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 120 А, SOT226 — Даташит
Наименование модели: BUK6E3R2-55C
![]() 13 предложений от 13 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные | |||
BUK6E3R2-55C,127 NXP | 78 ₽ | ||
BUK6E3R2-55C,127 NXP | 198 ₽ | ||
BUK6E3R2-55C,127 NXP | 231 ₽ | ||
BUK6E3R2-55C NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 120 А, SOT226
Краткое содержание документа:
BUK6E3R2-55C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.
01 -- 6 September 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On State Resistance: 2.7 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 16 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: I2-PAK
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 120 А
- Power Dissipation Pd: 306 Вт
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5
Варианты написания:
BUK6E3R255C, BUK6E3R2 55C