Поставки продукции Megawin по официальным каналам - микроконтроллеры, мосты USB-UART

Datasheet BUK6E3R2-55C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 120 А, SOT226 — Даташит

NXP BUK6E3R2-55C

Наименование модели: BUK6E3R2-55C

14 предложений от 14 поставщиков
MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK. N-Channel 55V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
ChipWorker
Весь мир
BUK6E3R2-55C,127
NXP
78 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
BUK6E3R2-55C,127
Rochester Electronics
78 ₽
BUK6E3R2-55C,127
NXP
226 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
BUK6E3R2-55C,127
Nexperia
243 ₽
Многослойные керамические конденсаторы от лидеров азиатского рынка

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 120 А, SOT226

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK6E3R2-55C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.

01 -- 6 September 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 55 В
  • On State Resistance: 2.7 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 16 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: I2-PAK
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 120 А
  • Power Dissipation Pd: 306 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - WLK 5

Варианты написания:

BUK6E3R255C, BUK6E3R2 55C

На английском языке: Datasheet BUK6E3R2-55C - NXP MOSFET, N CH, 55 V, 120 A, SOT226

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка