Datasheet BUK6E3R2-55C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 55 В, 120 А, SOT226 — Даташит

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 55 В, 120 А, SOT226

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK6E3R2-55C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.

01 -- 6 September 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On State Resistance: 2.7 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 16 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: I2-PAK
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 120 А
• Power Dissipation Pd: 306 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5

Варианты написания:

BUK6E3R255C, BUK6E3R2 55C