Datasheet BUK6E3R4-40C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT226 — Даташит
Наименование модели: BUK6E3R4-40C
![]() 9 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3Pin(3+Tab) I2PAK Rail | |||
BUK6E3R4-40C,127 Nexperia | 40 ₽ | ||
BUK6E3R4-40C,127 NXP | 40 ₽ | ||
BUK6E3R4-40C,127 NXP | 115 ₽ | ||
BUK6E3R4-40C,127 NXP | 131 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT226
Краткое содержание документа:
BUK6E3R4-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.
3 -- 14 October 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On State Resistance: 3.05 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 16 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: I2-PAK
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 100 А
- Power Dissipation Pd: 204 Вт
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - WLK 5
- VISHAY SILICONIX - SI7938DP-T1-GE3
Варианты написания:
BUK6E3R440C, BUK6E3R4 40C