Источники питания Keen Side

Datasheet BUK6E3R4-40C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT226 — Даташит

NXP BUK6E3R4-40C

Наименование модели: BUK6E3R4-40C

10 предложений от 10 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Зенер
Россия и страны ТС
BUK6E3R4-40C,127
Nexperia
121 ₽
ЭИК
Россия
BUK6E3R4-40C,127
NXP
128 ₽
Akcel
Весь мир
BUK6E3R4-40C,127
Nexperia
по запросу
Acme Chip
Весь мир
BUK6E3R4-40C
Nexperia
по запросу

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT226

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK6E3R4-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.

3 -- 14 October 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On State Resistance: 3.05 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 16 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: I2-PAK
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 100 А
  • Power Dissipation Pd: 204 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • VISHAY SILICONIX - SI7938DP-T1-GE3

Варианты написания:

BUK6E3R440C, BUK6E3R4 40C

На английском языке: Datasheet BUK6E3R4-40C - NXP MOSFET, N CH, 40 V, 100 A, SOT226

Электронные компоненты. Скидки 15%, кэшбэк 15% и бесплатная доставка от ТМ Электроникс