Источники питания KEEN SIDE

Datasheet BUK6E3R4-40C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT226 — Даташит

NXP BUK6E3R4-40C

Наименование модели: BUK6E3R4-40C

9 предложений от 9 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3Pin(3+Tab) I2PAK Rail
AllElco Electronics
Весь мир
BUK6E3R4-40C,127
Nexperia
40 ₽
ChipWorker
Весь мир
BUK6E3R4-40C,127
NXP
40 ₽
AiPCBA
Весь мир
BUK6E3R4-40C,127
NXP
115 ₽
ЧипСити
Россия
BUK6E3R4-40C,127
NXP
131 ₽
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 100 А, SOT226

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK6E3R4-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
Rev.

3 -- 14 October 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On State Resistance: 3.05 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 16 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: I2-PAK
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 100 А
  • Power Dissipation Pd: 204 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • VISHAY SILICONIX - SI7938DP-T1-GE3

Варианты написания:

BUK6E3R440C, BUK6E3R4 40C

На английском языке: Datasheet BUK6E3R4-40C - NXP MOSFET, N CH, 40 V, 100 A, SOT226

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка