Datasheet BUK6E4R0-75C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 75 В, 120 А, SOT226 — Даташит

Купить BUK6E4R0-75C на РадиоЛоцман.Цены — от 72 до 7 658 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3Pin(3+Tab) I2PAK Rail
IC Home Весь мир	BUK6E4R0-75C,127 NXP	82 ₽	Купить
ЧипСити Россия	BUK6E4R0-75C127 NXP	83 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	BUK6E4R0-75C,127 NXP	242 ₽	Купить
ЭИК Россия	BUK6E4R0-75C,127 NXP	260 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 75 В, 120 А, SOT226

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK6E4R0-75C
N-channel TrenchMOS FET
Rev.

02 -- 30 August 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 120 В
• On State Resistance: 3600µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 16 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: SOT-226
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 120 А
• Power Dissipation Pd: 306 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - WLK 5

Варианты написания:

BUK6E4R075C, BUK6E4R0 75C