AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet BUK6E4R0-75C - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 75 В, 120 А, SOT226 — Даташит

NXP BUK6E4R0-75C

Наименование модели: BUK6E4R0-75C

9 предложений от 9 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3Pin(3+Tab) I2PAK Rail
ChipWorker
Весь мир
BUK6E4R0-75C127
NXP
70 ₽
ЧипСити
Россия
BUK6E4R0-75C127
NXP
81 ₽
Augswan
Весь мир
BUK6E4R0-75C
Nexperia
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
BUK6E4R0-75C127
NXP
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 75 В, 120 А, SOT226

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK6E4R0-75C
N-channel TrenchMOS FET
Rev.

02 -- 30 August 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 120 В
  • On State Resistance: 3600µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 16 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOT-226
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 120 А
  • Power Dissipation Pd: 306 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - WLK 5

Варианты написания:

BUK6E4R075C, BUK6E4R0 75C

На английском языке: Datasheet BUK6E4R0-75C - NXP MOSFET, N CH, 75 V, 120 A, SOT226

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка