Datasheet BUK7535-55A - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 55 В 35 А SOT78 — Даташит

Купить BUK7535-55A на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 273 ₽ 22 предложений от 18 поставщиков MOSFET N-CH 55V 35A TO220AB / Trans MOSFET N-CH 55V 35A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
ЧипСити Россия	BUK7535-55A,127 NXP	56 ₽	Купить
Romstore Россия, Беларусь	BUK7535-55A	от 273 ₽	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	BUK7535-55A,127 NXP	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	BUK7535-55A NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH 55 В 35 А SOT78

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK7535-55A; BUK7635-55A
TrenchMOSTM standard level FET
Rev.

01 -- 10 November 2000 Product specification
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOSTM technology, featuring very low on-state resistance. Product availability: BUK7535-55A in SOT78 (TO-220AB) BUK7635-55A in SOT404 (D 2-PAK).

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 35 А
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On State Resistance: 35 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: SOT-78A
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 35 А
• Тип корпуса: SOT-78A
• Power Dissipation Pd: 85 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 55 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BUK753555A, BUK7535 55A