Datasheet BUK7575-100A - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 100 В 23 А SOT78 — Даташит
Наименование модели: BUK7575-100A
![]() 16 предложений от 16 поставщиков Trans MOSFET N-CH 100V 23A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | |||
BUK7575-100A,127 NXP | 27 ₽ | ||
BUK7575-100A,127 NXP | 50 ₽ | ||
BUK7575-100A Nexperia | по запросу | ||
BUK7575-100A NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH 100 В 23 А SOT78
Краткое содержание документа:
BUK7575-100A
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.
02 -- 30 July 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 23 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 75 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: SOT-78A
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 23 А
- Тип корпуса: SOT-78A
- Power Dissipation Pd: 99 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
BUK7575100A, BUK7575 100A