Datasheet BUK9575-55A - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 55 В 34 А SOT78 — Даташит

Купить BUK9575-55A на РадиоЛоцман.Цены — от 30 до 142 ₽ 15 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, NXP BUK9575-55A MOSFET Transistor, N Channel, 20A, 55V, 68mohm, 10V, 1.5V
Триема Россия	BUK9575-55A-VB	142 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	BUK9575-55A NXP	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	BUK957555A127	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	BUK9575-55A Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH 55 В 34 А SOT78

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9575-55A; BUK9675-55A
TrenchMOSTM logic level FET
Rev.

01 -- 9 February 2001 Product specification
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOSTM technology, featuring very low on-state resistance. Product availability: BUK9575-55A in SOT78 (TO-220AB) BUK9675-55A in SOT404 (D 2-PAK).

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 20 А
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On State Resistance: 68 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 10 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: SOT-78A
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 20 А
• Тип корпуса: SOT-78A
• Power Dissipation Pd: 62 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 55 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BUK957555A, BUK9575 55A