Datasheet BUK98180-100A - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 100 В 4.6 А SOT223 — Даташит
Наименование модели: BUK98180-100A
![]() 39 предложений от 23 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3А; Idm: 18А; 8Вт; SC73,SOT223 | |||
BUK98180-100A/CUX NXP | 44 ₽ | ||
BUK98180-100A/CU NXP | по запросу | ||
BUK98180100A | по запросу | ||
BUK98180-100A,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH 100 В 4.6 А SOT223
Краткое содержание документа:
BUK98180-100A
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.
03 -- 3 June 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.6 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 173 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Рассеиваемая мощность: 8 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 4.6 А
- Тип корпуса: SOT-223
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Max: 10 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
BUK98180100A, BUK98180 100A