Datasheet BUK9Y14-40B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 40 В 56 А SOT669 — Даташит
Наименование модели: BUK9Y14-40B
![]() 31 предложений от 16 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 56 А, 0.009 Ом, LFPAK56, Surface Mount | |||
BUK9Y14-40B.115 Nexperia | 23 ₽ | ||
BUK9Y14-40B Nexperia | от 25 ₽ | ||
BUK9Y14-40B,115 NXP | 43 ₽ | ||
BUK9Y14-40B NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH 40 В 56 А SOT669
Краткое содержание документа:
BUK9Y14-40B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.
03 -- 2 June 2008 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 56 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 11 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Рассеиваемая мощность: 85 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: SOT-669
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 56 А
- Тип корпуса: SOT-669
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 40 В
- Voltage Vgs Max: 15 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
BUK9Y1440B, BUK9Y14 40B