Datasheet BUK9Y30-75B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 75 В 34 А SOT669 — Даташит

Купить BUK9Y30-75B на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 210 ₽ 35 предложений от 19 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 75V 34A Automotive 5Pin(4+Tab) LFPAK
ТМ Электроникс Россия	BUK9Y30-75B,115 Nexperia	от 76 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	BUK9Y30-75B,115 Nexperia	от 95 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	BUK9Y30-75B NXP	по запросу	Купить
МосЧип Россия	BUK9Y30-75B NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH 75 В 34 А SOT669

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9Y30-75B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

04 -- 10 April 2008 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 34 А
• Drain Source Voltage Vds: 75 В
• On Resistance Rds(on): 28 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Рассеиваемая мощность: 85 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: SOT-669
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 34 А
• Тип корпуса: SOT-669
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 75 В
• Voltage Vgs Max: 15 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK9Y3075B, BUK9Y30 75B