Datasheet BUK9Y40-55B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 55 В 26 А SOT669 — Даташит

Купить BUK9Y40-55B на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 212 ₽ 29 предложений от 20 поставщиков МОП-транзистор N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
ChipWorker Весь мир	BUK9Y40-55B,115 NXP	57 ₽	Купить
Контест Россия	BUK9Y40-55B	212 ₽	Купить
ЭлектроПласт Россия	BUK9Y40-55B,115 NXP	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	BUK9Y40-55B/C,115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH 55 В 26 А SOT669

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9Y40-55B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

03 -- 22 February 2008 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 26 А
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On Resistance Rds(on): 36 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Рассеиваемая мощность: 59 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: SOT-669
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 26 А
• Тип корпуса: SOT-669
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 55 В
• Voltage Vgs Max: 15 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK9Y4055B, BUK9Y40 55B