Datasheet BUK9Y53-100B - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 100 В 23 А SOT669 — Даташит

Купить BUK9Y53-100B на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 115 ₽ 35 предложений от 18 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 23 А, 0.041 Ом, LFPAK56, Surface Mount
Эиком Россия	BUK9Y53-100B,115 Nexperia	от 72 ₽	Купить
Контест Россия	BUK9Y53-100B NXP	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	BUK9Y53-100B/C2 NXP	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	BUK9Y53-100B/C2 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH 100 В 23 А SOT669

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9Y53-100B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

01 -- 30 August 2007 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 23 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 49 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Рассеиваемая мощность: 75 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Корпус транзистора: SOT-669
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 23 А
• Тип корпуса: SOT-669
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Max: 15 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

BUK9Y53100B, BUK9Y53 100B