Datasheet PH2925U - NXP Даташит Полевой транзистор, N, 25 В, LFPAK — Даташит

Купить PH2925U на РадиоЛоцман.Цены — от 50 до 278 ₽ 30 предложений от 18 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 25 В, 100 А, 0.0023 Ом, SOT-669, Surface Mount
ЧипСити Россия	PH2925U NXP	74 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	PH2925U NXP	91 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	PH2925U NXP	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	PH2925U NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, 25 В, LFPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PH2925U
N-channel TrenchMOS ultra low level FET
Rev.

04 -- 24 February 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 100 А
• Drain Source Voltage Vds: 25 В
• On State Resistance: 2.3 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 10 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150пїЅпїЅC
• Корпус транзистора: SOT-669
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 100 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 6.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.2 мм
• Внешняя ширина: 5 мм
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 92nC
• Количество транзисторов: 1
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 2.3 МОм
• On State Resistance Max: 2.9 МОм
• Тип корпуса: SOT-669
• Power Dissipation Pd: 62.5 Вт
• Pulse Current Idm: 300 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
• Voltage Vds Typ: 25 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Min: 0.45 В

RoHS: есть