Datasheet PH3230S - NXP Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, LFPAK — Даташит

Купить PH3230S на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 456 ₽ 19 предложений от 19 поставщиков NXP PH3230S.. MOSFET Transistor, N Channel, 100A, 30V, 0.0027Ω, 4.5V, 2V
МосЧип Россия	PH3230/100-14G NXP	по запросу	Купить
TradeElectronics Россия	PH3230T3 NXP	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	PH3-230/120-241	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	PH3230S NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, LFPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PH3230S
N-channel TrenchMOSTM logic level FET
M3D748
Rev.

03 -- 02 March 2004
Product data

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 100 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 2.7 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-669
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 100 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 6.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.2 мм
• Внешняя ширина: 5 мм
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 42nC
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 5 Ом
• On State Resistance Max: 3.2 Ом
• Тип корпуса: SOT-669
• Power Dissipation Pd: 62.5 Вт
• Pulse Current Idm: 300 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7