Datasheet PH8230E - NXP Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, LFPAK — Даташит

Купить PH8230E на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 80 ₽ 17 предложений от 17 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 67A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/R
ТаймЧипс Россия	PH8230E115PHI NXP	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	PH8230E,115 Nexperia	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	PH8230E.115 NXP	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	PH8230E,115 Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, LFPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PH8230E
N-channel TrenchMOSTM enhanced logic level FET
M3D748
Rev.

03 -- 02 March 2004
Product data

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 67 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 7.6 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-669
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 67 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 6.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.2 мм
• Внешняя ширина: 5 мм
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 14nC
• On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 11 Ом
• On State Resistance Max: 8.2 Ом
• Тип корпуса: SOT-669
• Power Dissipation Pd: 62.5 Вт
• Pulse Current Idm: 268 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7