Datasheet PHK12NQ10T - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Купить PHK12NQ10T на РадиоЛоцман.Цены — от 8.15 до 68 ₽ 16 предложений от 16 поставщиков Compliant 4.05 mm No SVHC 3 V 6.3 mm SMD/SMT SOIC 8
AiPCBA Весь мир	PHK12NQ10T NXP	68 ₽	Купить
Maybo Весь мир	PHK12NQ10T,518 NXP	по запросу	Купить
МосЧип Россия	PHK12NQ10T+118 NXP	по запросу	Купить
ЗУМ-СМД Россия	PHK12NQ10T NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHK12NQ10T
TrenchMOSTM standard level FET
M3D315
Rev.

01 -- 15 September 2003
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 11.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 28 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 11.6 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 8.9 Вт
• Pulse Current Idm: 48 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: PHK12NQ10T
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5