Datasheet PHK28NQ03LT - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Купить PHK28NQ03LT на РадиоЛоцман.Цены — от 51 до 126 ₽ 15 предложений от 15 поставщиков МОП-транзистор TAPE13 PWR-MOS
ЭлектроПласт Россия	PHK28NQ03LT,518 NXP	по запросу	Купить
Maybo Весь мир	PHK28NQ03LT,518 NXP	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	PHK28NQ03LT NXP	по запросу	Купить
Контест Россия	PHK28NQ03LT Philips	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHK28NQ03LT
TrenchMOSTM logic level FET
M3D315
Rev.

02 -- 10 April 2003
Product data

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 23.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 6.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 23.7 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 6.25 Вт
• Pulse Current Idm: 60 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: PHK28NQ03LT
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть