Datasheet PHK5NQ15T - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Купить PHK5NQ15T на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 56 ₽ 18 предложений от 16 поставщиков Труба MOS, NXP PHK5NQ15T,518 MOSFET Transistor, N Channel, 5A, 150V, 56mohm, 10V, 3V
AiPCBA Весь мир	PHK5NQ15T518 NXP	33 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	PHK5NQ15T518 NXP	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	PHK5NQ15T /T3 NXP	по запросу	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	PHK5NQ15T518 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHK5NQ15T
TrenchMOSTM standard level FET
M3D315
Rev.

01 -- 20 January 2003
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5 А
• Drain Source Voltage Vds: 150 В
• On State Resistance: 75 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 5 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 6.25 Вт
• Pulse Current Idm: 20 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: PHK5NQ15T
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 150 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть