Datasheet PHT4NQ10LT,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 100 В 3.5 А SOT223 — Даташит

Купить PHT4NQ10LT,135 на РадиоЛоцман.Цены — от 15 до 246 ₽ 16 предложений от 13 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A 4Pin(3+Tab) SC-73 T/R
AiPCBA Весь мир	PHT4NQ10LT,135 NXP	53 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	PHT4NQ10LT135 NXP	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	PHT4NQ10LT135 NXP	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	PHT4NQ10LT,135 Texas Instruments	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор N-CH 100 В 3.5 А SOT223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHT4NQ10LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
M3D087
Rev.

01 -- 11 September 2000
Product specification

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.75 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 250 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Voltage Vgs Max: 2 В
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 3.5 А
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 6.9 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 130 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PHT4NQ10LT135, PHT4NQ10LT 135