Datasheet PHT4NQ10T,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 100 В 3.5 А SOT223 — Даташит

Купить PHT4NQ10T,135 на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 37 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков NEXPERIA - PHT4NQ10T,135 - MOSFET Transistor, N Channel, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V
Lixinc Electronics Весь мир	PHT4NQ10T,135 NXP	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	PHT4NQ10T.135 NXP	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	PHT4NQ10T135 Philips	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	PHT4NQ10T135 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор N-CH 100 В 3.5 А SOT223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHT4NQ10T
TrenchMOSTM standard level FET
M3D087
Rev.

02 -- 2 May 2002
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.75 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 250 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 3.5 А
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 6.9 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 130 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PHT4NQ10T135, PHT4NQ10T 135