Datasheet PHT4NQ10T,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 100 В 3.5 А SOT223 — Даташит
Наименование модели: PHT4NQ10T,135
Купить PHT4NQ10T,135 на РадиоЛоцман.Цены — от 27 до 273 ₽ 18 предложений от 12 поставщиков NEXPERIA - PHT4NQ10T,135 - MOSFET Transistor, N Channel, 1.75 A, 100 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V | |||
| PHT4NQ10T.135 Nexperia | 27 ₽ | ||
| PHT4NQ10T,135 NXP | 43 ₽ | ||
| PHT4NQ10T,135 NXP | 43 ₽ | ||
| PHT4NQ10T,135 Nexperia | от 273 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор N-CH 100 В 3.5 А SOT223
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PHT4NQ10T
TrenchMOSTM standard level FET
M3D087
Rev.
02 -- 2 May 2002
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.75 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 250 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 3 В
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-223
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 3.5 А
- Тип корпуса: SOT-223
- Power Dissipation Pd: 6.9 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 130 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
PHT4NQ10T135, PHT4NQ10T 135
