Datasheet PHT6N06LT - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит

Купить PHT6N06LT на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 1 752 ₽ 16 предложений от 16 поставщиков МОП-транзистор TAPE13 PWR-MOS
ChipWorker Весь мир	PHT6N06LT,135 NXP	13 ₽	Купить
727GS Весь мир	PHT6N06LT NXP	17 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	PHT6N06LT,135 NXP	46 ₽	Купить
Океан Электроники Россия	PHT6N06LT.135 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOSTM transistor Logic level FET
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting.

The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On State Resistance: 150 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Voltage Vgs Max: 13 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 5.5 А
• Current Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 8.3 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 8.3 Вт
• Pulse Current Idm: 10 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Voltage Vds Typ: 55 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В

RoHS: есть