Datasheet PHT6N06LT.135 - NXP Даташит Полевой транзистор, N, REEL 4K — Даташит

Купить PHT6N06LT.135 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 53 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков TrenchMOS transistor Logic level FET
Океан Электроники Россия	PHT6N06LT.135 NXP	по запросу	Купить
LifeElectronics Россия	PHT6N06LT135 NXP	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	PHT6N06LT,135 NXP	по запросу	Купить
727GS Весь мир	PHT6N06LT,135 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, REEL 4K

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOSTM transistor Logic level FET
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting.

The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On State Resistance: 150 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Voltage Vgs Max: 13 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 5.5 А
• Current Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 8.3 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 8.3 Вт
• Pulse Current Idm: 10 А
• Количество приборов в упаковке (ленте): 4000
• Ширина ленты: 12 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Voltage Vds Typ: 55 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Roth Elektronik - RE901
• STANNOL - 574601
• STANNOL - 631954