Datasheet PHT6N06T - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит

Купить PHT6N06T на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 82 ₽ 20 предложений от 17 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы
AiPCBA Весь мир	PHT6N06T Philips	11 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	PHT6N06T MOS NXP	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	PHT6N06T135 NXP	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	PHT6N06T/T3 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PHT6N06T
TrenchMOSTM standard level FET
M3D087
Rev.

02 -- 03 February 2003
Product data

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On State Resistance: 150 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 5.5 А
• Current Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 8.3 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 8.3 Вт
• Pulse Current Idm: 10 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 55 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В

RoHS: есть