На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet PHT6NQ10T,135 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, 4-SOT-223 — Даташит

NXP PHT6NQ10T,135

Наименование модели: PHT6NQ10T,135

30 предложений от 12 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 3 А, 0.09 Ом, SOT-223, Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
PHT6NQ10T.135
Nexperia
24 ₽
AiPCBA
Весь мир
PHT6NQ10T,135
NXP
58 ₽
ЧипСити
Россия
PHT6NQ10T,135
NXP
70 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
PHT6NQ10T135
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6.5 А, 4-SOT-223

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOSTM transistor
PHT6NQ10T
FEATURES

RoHS: есть

Варианты написания:

PHT6NQ10T135, PHT6NQ10T 135

На английском языке: Datasheet PHT6NQ10T,135 - NXP MOSFET, N CH, 100 V, 6.5 A, 4-SOT-223

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России