Datasheet PHT8N06LT - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-223 — Даташит

Купить PHT8N06LT на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 2 526 ₽ 21 предложений от 18 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 55V 3.5A 4Pin(3+Tab) SC-73 T/R
ИМЭК Россия и страны ТС	PHT8N06LT MOSFET N-CH 55V 7.5А 0.08ohm 1.8W NXP	16 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	PHT8N06LT,135 NXP	по запросу	Купить
Стандарт СИЗ Россия	PHT8N06LT,135	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	PHT8N06LT Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-223

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOSTM transistor Logic level FET
GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting.

The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 7.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 55 В
• On State Resistance: 80 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
• Voltage Vgs Max: 13 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-223
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 7.5 А
• Current Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-223
• Power Dissipation Pd: 1.8 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 1.8 Вт
• Pulse Current Idm: 40 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
• Voltage Vds Typ: 55 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Multicomp - MK3306/S
• Multicomp - MK3311
• Roth Elektronik - RE901