Datasheet PMF370XN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.87 А, SOT323 — Даташит
Наименование модели: PMF370XN,115
![]() 19 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 870 мА, 0.37 Ом, SOT-323, Surface Mount | |||
PMF370XN115 NXP | от 7.71 ₽ | ||
PMF370XN,115 Nexperia | 10 ₽ | ||
PMF370XN,115 Nexperia | от 54 ₽ | ||
PMF370XN,115 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.87 А, SOT323
Краткое содержание документа:
PMF370XN
N-channel TrenchMOS extremely low level FET
Rev.
03 -- 20 June 2008 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 870 мА
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 440 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Рассеиваемая мощность: 560 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-323
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 870 мА
- Тип корпуса: SOT-323
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 1 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
PMF370XN115, PMF370XN 115