Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet PMN23UN,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 20 В 6.3 А SOT457 — Даташит

NXP PMN23UN,135

Наименование модели: PMN23UN,135

12 предложений от 11 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 20V 6.3A 6Pin TSOP T/R
ChipWorker
Весь мир
PMN23UN,135
NXP
9.55 ₽
PMN23UN,135
Nexperia
29 ₽
Эиком
Россия
PMN23UN,135
Nexperia
31 ₽
МосЧип
Россия
PMN23UN,135
NXP
по запросу
Особенности выбора танталовых конденсаторов Xiangyee по номинальному напряжению

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор N-CH 20 В 6.3 А SOT457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMN23UN
µTrenchMOSTM ultra low level FET
M3D302
Rev.

01 -- 16 June 2004
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On State Resistance: 28 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Voltage Vgs Max: 700 мВ
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-457
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 6.3 А
  • Тип корпуса: SOT-457
  • Power Dissipation Pd: 1.75 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMN23UN135, PMN23UN 135

На английском языке: Datasheet PMN23UN,135 - NXP MOSFET N-CH 20 V 6.3 A SOT457

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка