Datasheet PMN27UN,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 20 В 5.7 А SOT457 — Даташит

Купить PMN27UN,135 на РадиоЛоцман.Цены — от 9.78 до 978 ₽ 12 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, N-channel TrenchMOS ultra low level FET
ЭИК Россия	PMN27UN,135 Nexperia	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	PMN27UN,135 NXP	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	PMN27UN,135 NXP	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	PMN27UN,135	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор N-CH 20 В 5.7 А SOT457

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMN27UN
TrenchMOSTM ultra low level FET
M3D302
Rev.

01 -- 27 September 2002
Product data

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On State Resistance: 34 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 700 мВ
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-457
• Количество выводов: 6
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 5.7 А
• Тип корпуса: SOT-457
• Power Dissipation Pd: 1.75 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMN27UN135, PMN27UN 135