Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet PMN27UN,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 20 В 5.7 А SOT457 — Даташит

NXP PMN27UN,135

Наименование модели: PMN27UN,135

9 предложений от 9 поставщиков
Compliant Surface Mount 1.7 mm 1 mm 3.1 mm 4.535924 g 14.5 ns Lead Free
AiPCBA
Весь мир
PMN27UN,135
NXP
21 ₽
ChipWorker
Весь мир
PMN27UN,135
NXP
21 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PMN27UN.135
1 129 ₽
ТаймЧипс
Россия
PMN27UN,135
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор N-CH 20 В 5.7 А SOT457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMN27UN
TrenchMOSTM ultra low level FET
M3D302
Rev.

01 -- 27 September 2002
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On State Resistance: 34 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Voltage Vgs Max: 700 мВ
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-457
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 5.7 А
  • Тип корпуса: SOT-457
  • Power Dissipation Pd: 1.75 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMN27UN135, PMN27UN 135

На английском языке: Datasheet PMN27UN,135 - NXP MOSFET N-CH 20 V 5.7 A SOT457

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России