Datasheet PMN28UN,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 12 В 5.7 А SOT457 — Даташит
Наименование модели: PMN28UN,135
![]() 13 предложений от 12 поставщиков MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP / N-Channel 12 V 5.7A (Tc) 1.75W (Tc) Surface Mount 6-TSOP | |||
PMN28UN,135 NXP | 43 ₽ | ||
PMN28UN,135 NXP | 64 ₽ | ||
PMN28UN,135 Nexperia | от 658 ₽ | ||
PMN28UN,135 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор N-CH 12 В 5.7 А SOT457
Краткое содержание документа:
PMN28UN
TrenchMOSTM ultra low level FET
M3D302
Rev.
01 -- 27 September 2002
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2 А
- Drain Source Voltage Vds: 12 В
- On State Resistance: 34 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 700 мВ
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-457
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 5.7 А
- Тип корпуса: SOT-457
- Power Dissipation Pd: 1.75 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 12 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
PMN28UN135, PMN28UN 135