ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet PMN28UN,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 12 В 5.7 А SOT457 — Даташит

NXP PMN28UN,135

Наименование модели: PMN28UN,135

9 предложений от 9 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 12V 5.7A 6Pin TSOP T/R
ChipWorker
Весь мир
PMN28UN135
NXP
24 ₽
AiPCBA
Весь мир
PMN28UN135
NXP
25 ₽
ЭИК
Россия
PMN28UN,135
NXP
39 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
PMN28UN,135
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор N-CH 12 В 5.7 А SOT457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMN28UN
TrenchMOSTM ultra low level FET
M3D302
Rev.

01 -- 27 September 2002
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 12 В
  • On State Resistance: 34 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Voltage Vgs Max: 700 мВ
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-457
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 5.7 А
  • Тип корпуса: SOT-457
  • Power Dissipation Pd: 1.75 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 12 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMN28UN135, PMN28UN 135

На английском языке: Datasheet PMN28UN,135 - NXP MOSFET N-CH 12 V 5.7 A SOT457

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России