Datasheet PMN34UN,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 30 В 4.9 А SOT457 — Даташит
Наименование модели: PMN34UN,135
![]() 14 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, TSOP N-CH 30V 4.9A | |||
PMN34UN,135 NXP | 15 ₽ | ||
PMN34UN,135 NXP | от 170 ₽ | ||
PMN34UN,135 NXP | по запросу | ||
PMN34UN.135 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор N-CH 30 В 4.9 А SOT457
Краткое содержание документа:
PMN34UN
µTrenchMOSTM ultra low level FET
M3D302
Rev.
01 -- 26 February 2003
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 46 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 700 мВ
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-457
- Количество выводов: 6
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 4.9 А
- Тип корпуса: SOT-457
- Power Dissipation Pd: 1.75 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
PMN34UN135, PMN34UN 135