Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet PMN34UN,135 - NXP Даташит Полевой транзистор N-CH 30 В 4.9 А SOT457 — Даташит

NXP PMN34UN,135

Наименование модели: PMN34UN,135

14 предложений от 10 поставщиков
Труба MOS, TSOP N-CH 30V 4.9A
ChipWorker
Весь мир
PMN34UN,135
NXP
15 ₽
727GS
Весь мир
PMN34UN,135
NXP
от 170 ₽
IC Home
Весь мир
PMN34UN,135
NXP
по запросу
T-electron
Россия и страны СНГ
PMN34UN.135
NXP
по запросу

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор N-CH 30 В 4.9 А SOT457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMN34UN
µTrenchMOSTM ultra low level FET
M3D302
Rev.

01 -- 26 February 2003
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 46 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Voltage Vgs Max: 700 мВ
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-457
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 4.9 А
  • Тип корпуса: SOT-457
  • Power Dissipation Pd: 1.75 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMN34UN135, PMN34UN 135

На английском языке: Datasheet PMN34UN,135 - NXP MOSFET N-CH 30 V 4.9 A SOT457

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка