Datasheet PMR280UN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.98 А, SOT416 — Даташит
Наименование модели: PMR280UN,115
Купить PMR280UN,115 на РадиоЛоцман.Цены — от 10 до 17 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков PMR280UN - N-channel TrenchMOS ultra low level FET SC-75 3-Pin | |||
| PMR280UN115 NXP | 10 ₽ | ||
| PMR280UN115 NXP | 10 ₽ | ||
| PMR280UN,115 Nexperia | от 17 ₽ | ||
| PMR280UN115 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 0.98 А, SOT416
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PMR280UN
N-channel µTrenchMOSTM ultra low level FET
M3D173
Rev.
01 -- 5 March 2004
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 200 мА
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 340 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Рассеиваемая мощность: 530 мВт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-416
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 980 мА
- Тип корпуса: SOT-416
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 700 мВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
PMR280UN115, PMR280UN 115
