KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet PMR370XN,115 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.84 А, SOT416 — Даташит

NXP PMR370XN,115

Наименование модели: PMR370XN,115

10 предложений от 7 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 30V 0.84A 3Pin SC-75 T/R
ChipWorker
Весь мир
PMR370XN115
NXP
11 ₽
AiPCBA
Весь мир
PMR370XN115
NXP
12 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PMR370XN.115
NXP
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
PMR370XN,115
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 0.84 А, SOT416

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMR370XN
N-channel µTrenchMOSTM extremely low level FET
M3D173
Rev.

01 -- 3 March 2004
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 200 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 440 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
  • Рассеиваемая мощность: 530 мВт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-416
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 840 мА
  • Тип корпуса: SOT-416
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Max: 1 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMR370XN115, PMR370XN 115

На английском языке: Datasheet PMR370XN,115 - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 0.84 A, SOT416

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России