Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet PMV30UN,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.7 А, SOT-23 — Даташит

NXP PMV30UN,215

Наименование модели: PMV30UN,215

17 предложений от 14 поставщиков
Транзисторы - МОП-транзисторы
Lixinc Electronics
Весь мир
PMV30UN,215
NXP
5.66 ₽
IC Home
Весь мир
PMV30UN,215
NXP
5.66 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
PMV30UN,215
по запросу
Maybo
Весь мир
PMV30UN,215
NXP
по запросу

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.7 А, SOT-23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMV30UN
µTrenchMOSTM ultra low level FET
Rev.

01 -- 25 June 2003
M3D088
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 36 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 1.9 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 5.7 А
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 20 В
  • Voltage Vgs Max: 700 мВ
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMV30UN215, PMV30UN 215

На английском языке: Datasheet PMV30UN,215 - NXP MOSFET, N CH, 20 V, 5.7 A, SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка