Datasheet PMV31XN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Купить PMV31XN на РадиоЛоцман.Цены — от 4.07 до 38 ₽ 16 предложений от 16 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3Pin TO-236AB
ChipWorker Весь мир	PMV31XN NXP	11 ₽	Купить
IC Home Весь мир	PMV31XN,215 NXP	11 ₽	Купить
727GS Весь мир	PMV31XN NXP	11 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	934057678215-PMV31XN	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMV31XN
µTrenchMOSTM extremely low level FET
Rev.

01 -- 26 February 2003 Product data
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOSTM technology. Product availability: PMV31XN in SOT23.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.9 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On State Resistance: 31 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Voltage Vgs Max: 12 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-23
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 5.9 А
• Current Temperature: 25°C
• Маркировка: PMV31XN
• External Depth: 2.5 мм
• Внешняя длина / высота: 1.12 мм
• Внешняя ширина: 3.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOT-23
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
• Pulse Current Idm: 23.7 А
• Ширина ленты: 8 мм
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
• Voltage Vgs th Max: 1.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901