Datasheet PMV31XN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: PMV31XN
Купить PMV31XN на РадиоЛоцман.Цены — от 4.70 до 61 ₽ 20 предложений от 14 поставщиков Compliant 1.4 mm 1 mm 3 mm 453.59237 mg 12 ns Lead Free 15 ns | |||
| PMV31XN NXP | 4.70 ₽ | ||
| PMV31XN NXP | 4.70 ₽ | ||
| PMV31XN215 NXP | по запросу | ||
| PMV31XN NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PMV31XN
µTrenchMOSTM extremely low level FET
Rev.
01 -- 26 February 2003 Product data
1. Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOSTM technology. Product availability: PMV31XN in SOT23.
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.9 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On State Resistance: 31 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 12 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 5.9 А
- Current Temperature: 25°C
- Маркировка: PMV31XN
- External Depth: 2.5 мм
- Внешняя длина / высота: 1.12 мм
- Внешняя ширина: 3.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
- Pulse Current Idm: 23.7 А
- Ширина ленты: 8 мм
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Max: 1.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- LICEFA - V11-7
- Roth Elektronik - RE901
