Datasheet PMV40UN,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 4.9 А, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: PMV40UN,215
![]() 12 предложений от 11 поставщиков Транзистор полевой N-канальный 30В 4.9A | |||
PMV40UN,215 NXP | от 138 ₽ | ||
PMV40UN,215 | по запросу | ||
PMV40UN215 NXP | по запросу | ||
PMV40UN,215 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 4.9 А, SOT-23
Краткое содержание документа:
PMV40UN
TrenchMOSTM ultra low level FET
Rev.
01 -- 05 August 2003
M3D088
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 47 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Рассеиваемая мощность: 1.9 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 4.9 А
- Тип корпуса: SOT-23
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 700 мВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
PMV40UN215, PMV40UN 215