Datasheet PMV45EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: PMV45EN
![]() 44 предложений от 23 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 2,6А; Idm: 16А | |||
PMV45EN2-ML | от 5.70 ₽ | ||
PMV45EN2R Nexperia | от 12 ₽ | ||
PMV45EN NXP | по запросу | ||
PMV45EN | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23
Краткое содержание документа:
PMV45EN
µTrenchMOSTM enhanced logic level FET
Rev.
01 -- 15 January 2003
M3D088
Product data
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.4 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 35 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 5.4 А
- Current Temperature: 25°C
- Маркировка: PMV45EN
- External Depth: 2.5 мм
- Внешняя длина / высота: 1.12 мм
- Внешняя ширина: 3.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 2 Вт
- Pulse Current Idm: 21.6 А
- Ширина ленты: 8 мм
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2 В
RoHS: есть