Datasheet PMZ1000UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.42 А, SOT883 — Даташит
Наименование модели: PMZ1000UN
![]() 42 предложений от 16 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 480 мА, 1 Ом, DFN1006, Surface Mount | |||
PMZ1000UN,315 Nexperia | от 5.58 ₽ | ||
PMZ1000UN NXP | от 6.55 ₽ | ||
PMZ1000UN,315 NXP | 51 ₽ | ||
PMZ1000UN NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.42 А, SOT883
Краткое содержание документа:
PMZ1000UN
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.
2 -- 17 September 2010
BOTTOM VIEW
Product data sheet
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 1.1 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Voltage Vgs Max: 8 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SC-101
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 480 мА
- Power Dissipation Pd: 350 мВт
RoHS: есть