Datasheet PMZ760SN,315 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 1.22 А, SOT883 — Даташит

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 1.22 А, SOT883

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMZ760SN
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.

02 -- 12 July 2007
BOTTOM VIEW
Product data sheet

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 300 мА
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 900 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-883
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Current Id Max: 1.22 А
• Тип корпуса: SOT-883
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Enhancement
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMZ760SN315, PMZ760SN 315