Datasheet PMZ760SN,315 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 1.22 А, SOT883 — Даташит
Наименование модели: PMZ760SN,315
![]() 11 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, DFN N-CH 60V 1.22A | |||
PMZ760SN,315 NXP | 15 ₽ | ||
PMZ760SN,315 NXP | 40 ₽ | ||
PMZ760SN,315 Nexperia | по запросу | ||
PMZ760SN.315 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 1.22 А, SOT883
Краткое содержание документа:
PMZ760SN
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.
02 -- 12 July 2007
BOTTOM VIEW
Product data sheet
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 300 мА
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 900 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-883
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 1.22 А
- Тип корпуса: SOT-883
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 60 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Варианты написания:
PMZ760SN315, PMZ760SN 315