Datasheet PSMN005-30K - NXP Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Купить PSMN005-30K на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 97 ₽ 18 предложений от 16 поставщиков NXP PSMN005-30K,518 MOSFET Transistor, N Channel, 20A, 30V, 4.4mohm, 10V, 3V
727GS Весь мир	PSMN005-30K NXP	от 20 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	PSMN005-30K,518 Nexperia	58 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	PSMN005-30K,518	по запросу	Купить
ЭлектроПласт Россия	PSMN005-30K,518 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN005-30K
TrenchMOSTM logic level FET
Rev.

01 -- 6 March 2002 Product data
1. Description
SiliconMAXTM products use the latest Philips TrenchMOSTM technology to achieve the lowest possible on-state resistance in a SOT96-1 (SO8) package. Product availability: PSMN005-30K in SOT96-1 (SO8).

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 20 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 4.4 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 20 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: SOIC
• Power Dissipation Pd: 3.5 Вт
• Pulse Current Idm: 60 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: PSMN005-30K
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5

Варианты написания:

PSMN00530K, PSMN005 30K