Datasheet PSMN011-80YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 В, 67 А, LFPAK — Даташит
Наименование модели: PSMN011-80YS
![]() 32 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 47А; Idm: 266А; 117Вт | |||
PSMN011-80YS,115 Nexperia | от 91 ₽ | ||
PSMN011-80YS,115 Nexperia | от 101 ₽ | ||
PSMN011-80YS Nexperia | по запросу | ||
PSMN011-80YS NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 В, 67 А, LFPAK
Краткое содержание документа:
PSMN011-80YS
N-channel LFPAK 80 V 11 m standard level MOSFET
Rev.
02 -- 28 October 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On State Resistance: 8 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: SOT-669
- Количество выводов: 4
- Current Id Max: 67 А
- Power Dissipation Pd: 117 Вт
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- CIRCUITWORKS - CW8100
Варианты написания:
PSMN01180YS, PSMN011 80YS