Datasheet PSMN012-100YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 60 А, SOT669 — Даташит
Наименование модели: PSMN012-100YS
![]() 40 предложений от 18 поставщиков MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK. N-Channel 100V 60A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8. Transistors - FETs, MOSFETs - Single... | |||
PSMN012-100YS,115 Nexperia | от 104 ₽ | ||
PSMN012-100YS,115 | по запросу | ||
PSMN012-100YS,115 NXP | по запросу | ||
PSMN012-100YS,115 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 60 А, SOT669
Краткое содержание документа:
PSMN012-100YS
N-channel 100V 12m standard level MOSFET in LFPAK
Rev.
04 -- 23 February 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 10 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175пїЅпїЅC
- Корпус транзистора: SOT-669
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 60 А
- Power Dissipation Pd: 130 Вт
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
PSMN012100YS, PSMN012 100YS