Datasheet PSMN013-80YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 80 В, 60 А, SOT669 — Даташит
Наименование модели: PSMN013-80YS
![]() 32 предложений от 16 поставщиков МОП-транзистор N-CH 80V 12.9 mOhm Standard МОП-транзистор | |||
PSMN013-80YS,115 TE Connectivity | 24 ₽ | ||
PSMN013-80YS,115 NXP | 30 ₽ | ||
PSMN013-80YS NXP | 80 ₽ | ||
PSMN013-80YS115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 80 В, 60 А, SOT669
Краткое содержание документа:
PSMN013-80YS
N-channel LFPAK 80 V 12.9 m standard level MOSFET
Rev.
01 -- 25 June 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On State Resistance: 9.7 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Корпус транзистора: SOT-669
- Количество выводов: 4
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Current Id Max: 60 А
- Power Dissipation Pd: 106 Вт
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
PSMN01380YS, PSMN013 80YS