Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet PSMN1R5-25YL - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 25 В, 100 А, SOT669 — Даташит

NXP PSMN1R5-25YL

Наименование модели: PSMN1R5-25YL

20 предложений от 14 поставщиков
МОП-транзистор N-CH TRENCHMOS Logic level FET
T-electron
Россия и страны СНГ
PSMN1R5-25YL.115
Nexperia
58 ₽
ChipWorker
Весь мир
PSMN1R5-25YL115
NXP
59 ₽
AliExpress
Весь мир
PSMN1R2-30YLC PSMN1R3-30YL PSMN1R4-30YLD PSMN1R4-40YLD PSMN1R5-30YL PSMN1R5-30YLC PSMN1R5-25YL PSMN1R6-40YLC СОТ-669
65 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
PSMN1R5-25YL,115
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 25 В, 100 А, SOT669

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN1R5-25YL
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

01 -- 16 June 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 25 В
  • On State Resistance: 1.13 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-669
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 100 А
  • Power Dissipation Pd: 109 Вт

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

PSMN1R525YL, PSMN1R5 25YL

На английском языке: Datasheet PSMN1R5-25YL - NXP MOSFET, N CH, 25 V, 100 A, SOT669

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России