Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet PSMN1R8-30PL - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 10 А, TO-220AB — Даташит

NXP PSMN1R8-30PL

Наименование модели: PSMN1R8-30PL

33 предложений от 15 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 100 А, 0.0016 Ом, TO-220AB, Through Hole
T-electron
Россия и страны СНГ
PSMN1R8-30PL.127
Nexperia
70 ₽
Utmel
Весь мир
PSMN1R8-30PL
NXP
от 98 ₽
AiPCBA
Весь мир
PSMN1R8-30PL127
NXP
115 ₽
TradeElectronics
Россия
PSMN1R8-30PL
NXP
по запросу
Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 10 А, TO-220AB

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN1R8-30PL
N-channel 30 V, 1.8 m logic level MOSFET in TO-220
Rev.

02 -- 2 November 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 1.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: TO-220AB
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 100 А
  • Power Dissipation Pd: 270 Вт

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • CIRCUITWORKS - CW8100
  • Fairchild - FDMS9620S
  • VISHAY SILICONIX - SI7844DP-T1-E3

Варианты написания:

PSMN1R830PL, PSMN1R8 30PL

На английском языке: Datasheet PSMN1R8-30PL - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 10 A, TO-220AB

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России